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半导体清洗:半导体制造中金属污染的测量技术汇总
半导体制造中金属污染的测量技术分为两类:
1、在线测量技术:在晶圆上直接测量,无需任何样品制备;
2、离线测量技术:测量前需样品制备,前处理涉及在实验室环境中进行。
EDX : Energy Dispersive X-ray Spectroscopy(能量色散X射线光谱)
SPV : Surface Photo Voltage(表面光电压)
TRXF : Total Reflection X-ray Fluorescence (全反射X射线荧光光谱)
IC : Ion Chromatography (离子色谱)
AAS: Atomic Absorption Spectroscopy (原子吸收光谱)
ICP-MS : Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy (电感耦合等离子体质谱)
VPD-TXRF : Vapour Phase Decomposition TXRF (气相分解-全反射X射线荧光光谱)
VPD-ICP-MS : Vapour Phase Decomposition ICP-MS (气相分解-电感耦合等离子体质谱)
SIMS : Secondary Ion Mass Spectroscopy(二次离子质谱)
XPS : X-ray Photoelectron Spectroscopy(X射线光电子能谱)
Auger : Auger electron spectroscopy(俄歇电子能谱)
除在线和离线监测划分之外,按照测量原理,可将测量金属污染的技术分为以下两个分支:一是直接测量晶圆表面的金属污染物化学浓度的技术,二是间接测量体硅中金属污染引起的电活动的寿命检测技术。当预计金属污染物会沉积在晶圆表面时,首选前一种方法,而后一种方法则适用于涉及到体硅中的金属污染扩散的热处理工艺。
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