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PoP堆叠芯片清洗介绍
PoP堆叠芯片清洗

PoP堆叠芯片清洗

(2D/2.5D/3D集成）PoP堆叠芯片清洗：PoP堆叠芯片在mm级别间距进行焊接，助焊剂作用后留下的活性剂等吸湿性物质，较小的层间距如存有少量的吸湿性活性剂足以占据相对较大的芯片空间，影响芯片可靠性。要将有限的空间里将残留物带离清除，清洗剂需要具备较低的表面张力渗入层间芯片，达到将残留带离的目的。合明科技研发的清洗剂具有卓越的渗入能力，以确保芯片间残留活性剂被彻底清除。

合明科技为您提供PoP堆叠芯片水基清洗全工艺解决方案。

合明PoP堆叠芯片清洗工艺优势

1. PH 值呈中性
2. 对铝、铜、镍、塑料、标签等敏感材料上显示出绝佳的材料兼容性。
3. 用去离子水按一定比例稀释后不易起泡，可适用于喷淋、超声工艺。
4. 不含卤素，材料环保；气味清淡，使用液无闪点，使用安全，不需要额外的防爆措施。
5. 由于 PH 中性，减轻污水处理难度。

PoP堆叠芯片清洗推荐产品

PoP堆叠芯片清洗应用

用于去除PCBA、封装器件、功率电子上的助焊剂、焊锡膏、锡膏残留。该产品能够有效去除多种半导体电子器件上的锡膏、焊锡膏、助焊剂残留，对于倒装芯片、半导体封装水基环保清洗、PoP堆叠芯片、SIP系统封装、半导体芯片、半导体功率器件、功率模块（光电模块、传感模块、通讯模块）、功率电子、IGBT功率模块、DCB功率清洗、引线框架、BGA植球后清洗、分立器件、电子元器件等有着卓越的清洗效果。

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