相对于发达国家，我国功率半导体行业发展起步相对较晚，尚未出现能与国际巨头相抗衡的企业。但近年来，为推动功率半导体产业健康快速发展，国家相关部门不断加大扶持力度，国内功率半导体行业正驶入发展快速道，整个行业正由中低端产品竞争转向高性能的品质竞争，发展空间广阔。

其中，第三代功率半导体无疑是最为关注的重点细分领域之一，特别是在能源转型的巨大需求之下，产业保持高速发展。作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）材料被认为是行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。作为产业链上的一员，澎芯半导体对SiC的市场增长前景充满信心，将继续加大投入，不断推动技术创新和产品升级，为推动行业的发展贡献更多力量。

晶扬电子项目总监 郑义：

当前功率半导体分立器件行业面临着挑战和机遇，企业需要灵活应对市场变化，关注技术创新，拓展新兴市场，并在供应链、成本控制等方面保持稳定和竞争力。

从市场需求来看，行业周期下行通常意味整体经济状况较弱，这可能导致消费者和企业对电子产品的需求下降。功率半导体分立器件通常用于电源管理、能源转换等应用，市场需求可能会受到影响。

鉴于目前供需关系变化、竞争态势加剧，企业为了整合资源，增强竞争力，将进一步加速产业整合并购的步伐，这将导致市场份额的重新分配，影响行业格局。

另一方面，尽管主流市场面临冲击，但可再生能源、电动汽车、工业自动化等新兴行业的强力发展，将催生功率半导体分立器件的长期需求。而且，随着技术的不断创新，功率半导体器件的性能不断提升，进一步降低能耗、提高效率，应用范围不断扩大，为各行业带来了更多的创新和发展机遇。

面对庞大的市场空间，本土厂商取得了哪些重要突破？面临哪些困局？

与此同时，经过近几年的不断积累，国内在硅器件的低压SGT、高压超结器件、IGBT及IGBT模块等方面，不管是在技术、产品以及规模化产能上均取得突破性进展。在SiC领域SBD达到国际先进水平，平面MOSFET取得突破并进入量产。

但在IGBT的高端应用方面和沟槽SiC MOSFET方面积累的时间和经验都不足，需要夯实基础，使之能满足整机要求，稳定量产，并不断推进技术迭代工作。澎芯半导体也在联合合作单位，加快推进沟槽SiC MOSFET的技术进步。

晶扬电子项目总监 郑义：

尽管取得了一些重要突破，但与国际领先企业相比，本土企业在一些高端技术领域、产业链完整度、知识产权保护、人才培养等方面存在一定差距。面对广阔的市场前景，国内厂商在技术水平和市场份额的提升上仍有较大的发展空间。

随着国内企业逐步突破行业高端产品的技术瓶颈，产品的质量、性能、技术标准不断提升，中国功率半导体器件对进口的依赖将会减弱，国产替代效应将持续显现。未来，在国家政策支持、产业生态逐渐完善、人才水平逐渐提高的背景下，中国本土企业有望进一步向高端功率器件领域迈进。