一、国产存储芯片发展现状

存储芯片又称半导体存储器，是现代信息产业应用最广的核心零部件之一，可存储程序代码以处理各类数据，并存储数据处理过程中的中间数据和最终结果，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域，是基础性通用集成电路产品。

在国家政策大力支持下，我国存储芯片行业发展迅速。国家在2022年1月发布的《国务院关于印发“十四五”数字经济发展规划的通知》，对半导体存储器行业发展有促进作用，刺激企业提升自主研发能力、提高国内半导体存储器企业的整体竞争力。

从产业链来看，上游主要是硅片、光刻胶、靶材和抛光材料等原材料和光刻机、刻蚀设备等半导体设备相关企业；中游为各类存储芯片产品；下游应用场景广阔，涵盖消费电子、信息通信、汽车电子和高新科技等领域。

目前，以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储器厂商在产品技术和市场拓展方面持续突破和大力投入，推动着国产存储器市场加速发展。例如长江存储的128层NAND闪存已经量产，并且已向少数客户交付了其内部开发的192层3D NAND闪存样品；长鑫存储在DRAM方面虽然与国际大厂仍有差距，但也在不断发展，目前处于1Xnm（16nm - 19nm）阶段。

然而，与国际领先水平相比，国产存储芯片仍存在一定差距。在全球存储芯片市场中，像DRAM市场被三星、SK海力士、美光占据绝大部分份额；NAND Flash市场由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂主导，中国大陆企业市场份额较低。

二、国产存储芯片市场规模

在国内市场，存储芯片一直是集成电路市场份额占比最大的产品类别。2021年我国存储芯片市场规模达5494亿元，受存储芯片价格上涨影响，规模进一步提升。据预计国内存储芯片市场规模2023年有望达5400亿元。2024年，由于全球存储渠道行情整体向上，市场需求大幅提升，DRAM市场规模将增至780亿美元，这也会对国产存储芯片市场规模产生积极影响。

从投融资方面看，我国存储芯片投融资较为活跃，2022年存储芯片投融资事件16起，投融资金额58.23亿元。预计2023年存储芯片投融资事件18起，投融资金额75亿元，这表明市场对国产存储芯片行业发展的看好，也为行业发展提供了资金支持，有助于进一步扩大市场规模。

三、国产存储芯片技术特点

• 技术追赶与突破

• 在NAND闪存技术方面，国内的长江存储取得了显著成果。国外先进厂商如三星等在NAND闪存技术上不断发展，已经实现了较高层数的堆叠量产，如176层闪存，美光甚至宣布了232层3D NAND存储解决方案。而长江存储128层NAND闪存已经量产，并且已向少数客户交付192层3D NAND闪存样品，体现了国产存储芯片在技术上的追赶态势，不断缩小与国际领先水平的差距。

• 在DRAM技术上，国际大厂三星、SK海力士、美光制程工艺较为先进，已进入1anm（10nm）的研发阶段，而国内的长鑫存储目前处于1Xnm（16nm - 19nm）阶段。虽然存在差距，但也在努力发展，从无到有逐步提升技术水平。

• 创新技术应用

• 一些国产存储芯片企业在技术创新上有所突破。例如新存科技发布的NM101芯片采用了创新的三维堆叠技术，基于新型材料电阻变化的原理，利用先进工艺制程，在单颗芯片上集成了百亿数量的非易失性存储器件，实现了存储架构上的重大突破。该芯片与市场上大容量非易失性产品相比，单颗芯片容量达64Gb，支持随机读写，较市面已有大容量非易失性产品读写均提速10倍以上的同时寿命也增加了5倍，展现出了独特的技术优势。

四、国产存储芯片主要厂商

• 长江存储

• 长江存储以武汉为基地，主要生产3D NAND闪存。在技术研发上成果显著，如128层NAND闪存已经量产，并且在向更先进的技术层级探索，已向少数客户交付192层3D NAND闪存样品，这使其在国内NAND闪存领域处于领先地位，也提升了国产存储芯片在全球市场的竞争力。

• 长鑫存储

• 在DRAM领域发挥着重要作用。长鑫存储的产能不断提升，2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标，2022年的产能目标是12万片晶圆/月，未来的产能目标是30万片晶圆/月。虽然与国际DRAM大厂在制程工艺上存在差距，但长鑫存储的发展为国内DRAM产业的发展奠定了基础，减少了对国外产品的依赖。

• 得一微电子

• 成立于2017年，是全球重要的闪存控制芯片供应商。总部设在深圳，主要为行业客户提供存储控制芯片、工业用存储模组、IP及设计服务在内的一站式存储解决方案，产品覆盖消费级、企业级、工业级、汽车级应用。其建立了通用存储(USB/SD)、嵌入式存储(UFS/eMMC/SPI - NAND)和SSD存储(SATA/PCIe)的完整存储产品线，累计出货超10亿套，并且其存储控制芯片已全面支持长江存储历代NAND Flash颗粒。

除了上述厂商外，根据2022年的调研分析报告，国内还有众多存储器IDM和fabless厂商、存储主控芯片厂商以及存储产品相关厂商，共梳理出30家国产存储器及主控芯片厂商，这些厂商在存储芯片行业的不同领域发挥着各自的作用。

五、国产存储芯片未来趋势

• 市场份额提升空间大

• 从各细分产品的市场竞争格局来看，全球存储芯片市场集中度较高。2021年，全球DRAM市场中三星、SK海力士、美光市场份额合计达到94%；NAND Flash市场由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂占据超过95%的份额，而中国大陆企业市场份额较低，这意味着国产存储芯片厂商有着巨大的替代空间。随着技术的不断进步和产业发展，国产存储芯片有望逐步抢占更多的市场份额。

• 技术长期共存发展

• EEPROM、NOR Flash和NAND Flash三类技术已发展成为非易失性存储芯片领域的成熟技术，在不同容量区间具备性能和成本的优势，满足了不同应用领域的存储需求。EEPROM在1Mbit及以下容量区间性价比高，用于存储小规模、经常需要修改的数据；NOR Flash在512Kbit - 1Gbit容量区间性价比高，用于中低容量的代码和数据存储；NAND Flash主要用于1Gbit - 6Tbit的大容量数据存储。这三类技术将在市场上长期共存，共同推动存储芯片行业发展，国产存储芯片也将在这一技术格局下不断发展，针对不同需求进行技术研发和产品布局。

• 下游应用驱动发展

• 随着AI技术的爆发式发展、5G通信的普及、云计算的发展以及汽车电子等领域的不断进步，存储芯片的市场需求呈现出显著的增长态势。例如汽车行业正在发生变化，电动化趋势下行业进入大模块化、中央集成化时代，ADAS进入质变阶段，汽车对存储的性能和容量要求急剧加大，单车存储容量将很快进入TB时代，这将为国产存储芯片带来新的市场机遇，促使国产存储芯片企业加大在这些领域的研发和市场拓展力度。

六、国产存储芯片面临的挑战

• 技术瓶颈

• 当半导体制程走到14nm以下，半导体工艺迁移到Fin - FET（鳍式场效应晶体管）后，该技术无法直接套用在既有的一些嵌入式存储元件上，这对存储芯片的性能提升造成了技术障碍。而且，未来人工智能（AI）及边缘计算（Edge Computing）等高计算能力的需求使得现存高容量存储器，如DRAM、NAND闪存的高耗电及速度问题已无法跟上需求的脚步。随着存储器密度不断提高，基本元件尺寸不断缩小，CPU对存储器容量需求不断增加，这些问题在未来将会越来越严重，国产存储芯片同样面临这些技术挑战。

• 市场份额低

• 在全球存储芯片市场中，国产存储芯片企业的市场份额较低。如在DRAM和NAND Flash市场，国际大厂占据了绝大部分市场份额，这使得国产存储芯片企业在市场竞争中面临巨大压力。尽管市场份额低意味着有较大的增长空间，但要从国际大厂手中抢夺份额并非易事，需要在技术、成本、市场等多方面具备强大的竞争力。

• 依赖进口

• 中国在芯片进口方面投入巨大，虽然2023年进口金额有所减少，但存储芯片仍然依赖进口，国产存储芯片自给率较低。这种依赖进口的现状使得国产存储芯片产业在国际贸易摩擦、供应短缺等情况下容易受到冲击，对产业的稳定发展构成威胁。

• 产能与需求差距

• 目前国产存储芯片存在产能和需求之间的差距问题。例如三星等存储芯片巨头宣布业绩增长背后是存储芯片价格大幅上涨，而国产存储芯片产能可能无法满足市场需求的增长，这可能导致市场份额难以提升，并且在市场波动时难以灵活应对，影响产业的健康发展。

七、芯片封装清洗剂选择：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

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