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扇入型晶圆级封装(Fan-In Wafer-Level Package,简称FIWLP或WLCSP)与扇出型晶圆级封装(Fan-Out Wafer-Level Package,简称FOWLP)在封装方式、尺寸、电气特性、成本以及应用领域等方面存在显著区别。以下是两者的详细对比:
扇入型封装:封装尺寸与裸片(芯片)尺寸相同,通过重新分布层(RDL)将设备I/O连接到芯片表面顶部的锡球位置,实现芯片级封装(CSP)。这种封装方式适用于I/O数量相对较少的芯片,因为其空间受限于芯片尺寸。
扇出型封装:封装后的器件尺寸比裸片大,类似于传统的BGA封装。扇出型封装通过RDL工艺增加芯片可使用的布线区域,使I/O数量和密度大幅提升,不再受芯片尺寸的限制。封装尺寸可以缩小至芯片尺寸的1.2-1.5倍左右,未来还有进一步缩小的潜力。
扇入型封装:锡球直接固定在芯片上,无需基板等媒介,电气传输路径相对较短,电气特性得到改善。然而,由于封装尺寸与芯片尺寸相同,引脚数量受限。
扇出型封装:信号传输路径更短,寄生效应更小,同时利用铜柱和微重布线层,器件的电流传输能力和高频特性都得到大幅提升。此外,扇出型封装可以容纳更多的引脚,支持更复杂的芯片设计。
扇入型封装:在大批量生产时,由于其制造过程相对简单,通常比扇出型封装更经济。然而,如果需要更高的I/O引脚数量或更复杂的设计,扇出型封装可能是更好的选择。
扇出型封装:虽然初期投资可能较高,但由于其能够显著提高封装密度和降低成本(如减少物料和人工消耗),长期来看具有较高的经济效益。此外,扇出型封装工艺成熟度高,自动化程度高,有利于降低制造成本。
扇入型封装:由于其封装尺寸小、电气特性优且成本较低,广泛应用于对尺寸和成本要求较高的领域,如智能手机、物联网设备等。
扇出型封装:随着技术的不断发展,扇出型封装已经成为先进封装技术的代表之一,广泛应用于高性能领域,如汽车芯片、人工智能机器等。同时,扇出型封装在无线领域、汽车和医疗应用等方面也展现出巨大的潜力。
先进芯片封装清洗介绍
合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
合明科技运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。
综上所述,扇入型晶圆级封装和扇出型晶圆级封装在封装方式、尺寸、电气特性、成本以及应用领域等方面各有优势。选择哪种封装方式取决于具体的应用需求和设计要求。