BAW —— 体声波滤波器

虽然SAW和TC-SAW滤波器非常适合约1.5GHz以内的应用，高于1.5GHz时，BAW滤波器非常具有性能优势（图2）。BAW滤波器的尺寸还随频率升高而缩小，这使它非常适合要求非常苛刻的3G和4G应用。此外，即便在高宽带设计中，BAW对温度变化也不那么敏感，同时它还具有极低的损耗和非常陡峭的滤波器裙边（filterskirt）。

图2：高于1.5GHz时，BAW滤波器非常具有性能优势

不同于SAW滤波器，BAW滤波器内的声波垂直传播（图3）。对使用石英晶体作为基板的BAW谐振器来说，贴嵌于石英基板顶、底两侧的金属对声波实施激励，使声波从顶部表面反弹至底部，以形成驻声波。而板坯厚度和电极质量（mass）决定了共振频率。在BAW滤波器大显身手的高频，其压电层的厚度必须在几微米量级，因此，要在载体基板上采用薄膜沉积和微机械加工技术实现谐振器结构。

图3：BAW滤波器内的声波垂直传播。

为使声波不散漫到基板上，通过堆叠不同刚度和密度的薄层形成一个声布拉格（Bragg）反射器。这种方法被称为牢固安装谐振器的BAW或BAW-SMR器件（图4）。另一种方法，称为薄膜体声波谐振器（FBAR），它是在有源区下方蚀刻出空腔，以形成悬浮膜。

因这两种类型BAW滤波器的声能密度都很高、其结构都能很好地导限声波，它们的损耗都非常低。在微波频率，BAW可实现的Q值、在可比体积下、比任何其它类型的滤波器都高，可达：2500@2GHz。这使得即使在通带边缘的吃紧处，它也有极好的抑制和插入损耗性能。

虽然BAW和FBAR滤波器的制造成本更高，其性能优势非常适合极具挑战性的LTE频带以及PCS频带，后者的发送和接收路径间只有20MHz的狭窄过渡范围。滤波器 微信公众号认为，BAW和FBAR滤波器的IDT可做得足够大，以支持4W@2GHz的更高射频功率。BAW器件对静电放电有固有的高阻抗，其BAW-SMR变体具有约-17ppm/℃@2GHz的TCF。　

随着频谱拥挤导致缩窄甚至舍弃保护频带的趋势，对于高性能滤波器的需求显著增加。BAW技术使人们有可能设计出具有非常陡峭滤波器裙边、高抑制性能以及温漂很小的窄带滤波器，它非常适合处理相邻频段之间非常棘手的干扰抑制问题。TriQuint及其它滤波器制造商的工程师正在努力实现4％或更高带宽、损耗更低、TCF基本为零的BAW-SMR滤波器。　　

BAW器件所需的制造工艺步骤是SAW的10倍，但因它们是在更大晶圆上制造的，每片晶圆产出的BAW器件也多了约4倍。即便如此，BAW的成本仍高于SAW。然而，对一些分配在2GHz以上极具挑战性的频段来说，BAW是唯一可用方案。因此，BAW滤波器在3G/4G智能手机内所占的份额在迅速增长。　　

在BAW-SMR滤波器底部电极下方使用的声反射器使其在FBAR面临挑战的频段拥有优化的带宽性能。反射器使用的二氧化硅还显著减少了BAW的整体温漂，该指标远好于BAW甚至FBAR所能达到的水平。由于谐振器位于结实的材料块上，其散热比FBAR好得多，后者采用一个膜，仅能通过边缘散热。这使得BAW器件可实现更高的功率密度，不久就会有可用于小蜂窝基站应用10W级器件的问世。

BAW 滤波器原理示意图

滤波器器件芯片封装清洗：

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水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

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