晶元级封装技术的优势、发展趋势与晶元级封装清洗介绍

WLP的最初萌芽是由用于移动电话的低速I／O(low-I／O)、低速晶体管元器件制造带动起来的，如无源的片上感应器和功率传输ICs等，目前WLP正处于发展阶段，受到蓝牙、GPS(全球定位系统)元器件以及声卡等应用的推动，需求正在逐步增长。

目前，晶元级封装技术已广泛用于闪速存储器、EEPROM、高速DRAM、SRAM、LCD驱动器、射频器件、逻辑器件、电源／电池管理器件和模拟器件(稳压器、温度传感器、控制器、运算放大器、功率放大器)等领域。晶元级封装主要采用薄膜再分布技术、凸点形成两大基础技术。前者用于把沿芯片周边分布的焊接区域转换为在芯片表面上按平面阵列形式分布的凸点焊区。后者则用于在凸点焊区上制作凸点，形成焊球阵列。

一、 晶元级封装的优势

晶元级封装以BGA技术为基础，是一种经过改进和提高的CSP，充分体现了BGA、CSP的技术优势。它具有许多独特的优点：①封装加工效率高，它以晶元形式的批量生产工艺进行制造；②具有倒装芯片封装的优点，即轻、薄、短、小；③晶元级封装生产设施费用低，可充分利用晶元的制造设备，无须投资另建封装生产线；④晶元级封装的芯片设计和封装设计可以统一考虑、同时进行，这将提高设计效率，减少设计费用；⑤晶元级封装从芯片制造、封装到产品发往用户的整个过程中，中间环节大大减少，周期缩短很多，这必将导致成本的降低；⑥晶元级封装的成本与每个晶元上的芯片数量密切相关，晶元上的芯片数越多，晶元级封装的成本也越低。晶元级封装是尺寸最小的低成本封装。晶元级封装技术是真正意义上的批量生产芯片封装技术。

WLP的优势在于它是一种适用于更小型集成电路的芯片级封装(CSP)技术，由于在晶元级采用并行封装和电子测试技术，在提高产量的同时显著减少芯片面积。由于在晶元级采用并行操作进行芯片连接，因此可以大大降低每个I／O的成本。此外，采用简化的晶元级测试程序将会进一步降低成本。利用晶元级封装可以在晶元级实现芯片的封装与测试。

二、晶元级封装技术的发展趋势

晶元级封装技术要努力降低成本，不断提高可靠性水平，扩大在大型IC方面的应用。在焊球技术方面，将开发无Pb焊球技术和高Pb焊球技术。随着IC晶元尺寸的不断扩大和工艺技术的进步，IC厂商将研究与开发新一代晶元级封装技术，这一代技术既能满足φ300 mm晶元的需要，又能适应近期出现的铜布线技术和低介电常数层间介质技术的要求。此外，还要求提高晶元级封装处理电流的能力和承受温度的能力。WLBI(晶元级测试和老化)技术也是需要研究的重要课题。WLBI技术是要在IC晶元上直接进行电气测试和老化，这对晶元级封装简化工艺流程和降低生产成本都具有重要的意义。

 结束语：晶元级封装技术是低成本的批量生产芯片封装技术。晶元级封装与芯片的尺寸相同，是最小的微型表面贴装器件。由于晶元级封装的一系列优点，晶元级封装技术在现代电子装置小型化、低成本化需求的推动下，正在蓬勃向前发展。当前，晶元级封装技术通常适用于I／O数低的小尺寸芯片。业界还需要开发新的技术，降低生产成本，发展大尺寸芯片的晶元级封装和精细节距焊球阵列晶元级封装。

三、晶元级封装芯片封装清洗：

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

合明科技运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用合明科技水基清洗剂产品。