硅片清洗的步骤

为了解决硅片表面的污染问题,实现硅片表面清洁,我们需要弄清楚硅片表面有哪些污染物,然后选择适当的硅片清洗方法达到去除的目的。在硅片加工及器件制造过程中,所有与硅片接触的外部媒介都是硅片污染物的可能来源。这主要包括以下几方面:硅片加工成型过程中的污染,环境污染,水造成的污染,试剂带来的污染,工业气体造成的污染,工艺本身造成的污染,人体造成的污染等。尽管硅片沾污杂质的来源不同,但它们通常可划分为这几类。

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硅片清洗一般程序：

吸附在硅片表面上的杂质可分为分子型、离子型和原子型三种情况。其中分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱,清除这类杂质粒子比较容易。它们多属油脂类杂质,具有疏水性的特点,对于清除离子型和原子型杂质具有掩蔽作用。

因此在对硅片进行化学清洗时,首先应该把它们清除干净。离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质,其吸附力都较强。

在一般情况下,原子型吸附杂质的量较小,因此在化学清洗时,先清除掉离子型吸附杂质,然后再清除残存的离子型杂质及原子型杂质。

最后用高纯去离子水将硅片冲冼干净,再加温烘干或甩干就可得到洁净表面的硅片。

综上所述,清洗硅片的一般工艺程序为:去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗。

另外,为去除硅片表面的氧化层,常要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤。

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