第三代半导体的简述

现在主流的芯片是硅基芯片，在日常生活中应用的最为广泛。

因为它发展的时间长、产业链成熟度高，成本较低，所以能够大规模应用，在我们的手机里、电脑里......

然而，经过几十年的发展，硅基芯片遇上了摩尔定律的“瓶颈”，发展的空间变得狭小了。

另外，受制于硅基材料的物理性能，硅基芯片在光伏、新能源汽车等新兴产业领域的发展受阻。

正好恰逢其时，新能源产业的兴盛崛起，第三代半导体崭露头角，大放光彩。

第三代半导体，是继以硅基芯片为代表的第一代半导体和以砷化镓为代表的第二代半导体之后，迅速发展起来的一种化合物半导体。

它的禁带宽度（eV）宽、电子饱和漂移速度快、热导率高，所以第三代半导体耐压性高、高频性能好、散热快，在通信射频和新能源领域具有明显的优势，硅基芯片完全不是对手。

所以，第三代半导体的兴起，与近些年来新能源产业的快速发展密不可分，作为新能源产业所需的功率芯片有无可比拟的优势。

虽然它起步于上世纪90年代，比硅基芯片的发展时间要短，但是其发展快，前景大。

发展至今，目前发展比较成熟的第三代半导体品类有两种，分别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。

氮化镓主要应用在手机充电器、卫星通信等民用领域和雷达等军事领域。

而碳化硅主要应用于电动汽车、电力设备、新能源等民用领域和喷气式发动机等军用领域。

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